SCT30N120

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
SCT30N120 P1
SCT30N120 P1
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STMicroelectronics ~ SCT30N120

Artikelnummer
SCT30N120
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer SCT30N120
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 400V
Vgs (Max) +25V, -10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 270W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket HiP247™
Paket / Fall TO-247-3

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