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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ZDX080N50 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 40W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FM |
| Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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ZDX050N50 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM | - | 381 | Einzelheiten |
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ZDX080N50 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM | - | 433 | Einzelheiten |
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ZDX130N50 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM | - | 14 | Einzelheiten |