RXH125N03TB1

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
RXH125N03TB1 P1
RXH125N03TB1 P1
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Rohm Semiconductor ~ RXH125N03TB1

Artikelnummer
RXH125N03TB1
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer RXH125N03TB1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 12.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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