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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RUF025N02FRATL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TUMT3 |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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RUF020N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 | 3000 | Einzelheiten | |
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RUF025N02FRATL | Rohm Semiconductor | NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET | - | 511734 | Einzelheiten |
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RUF025N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 | 0 | Einzelheiten |