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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RQ1A070APTR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 6V |
| Vgs (Max) | -8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 550mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSMT8 |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ1A060ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 | 72000 | Einzelheiten | |
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RQ1A070APTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 | 0 | Einzelheiten | |
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RQ1A070ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 | 0 | Einzelheiten |