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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | R8010ANX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 40W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FM |
| Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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R8002ANJFRGTL | Rohm Semiconductor | R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W | - | 60048 | Einzelheiten |
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R8010ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 | 265 | Einzelheiten | |
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R80M | Omron Automation and Safety | R80M, ROPE ONLY 80M | - | 0 | Einzelheiten |