NXH80T120L2Q0S2G

PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
NXH80T120L2Q0S2G P1
NXH80T120L2Q0S2G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NXH80T120L2Q0S2G

Artikelnummer
NXH80T120L2Q0S2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer NXH80T120L2Q0S2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 57A
Leistung max 125W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 300µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 19.4nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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