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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | NVD5802NT4G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16.4A (Ta), 101A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 12V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DPAK |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |