NTLTD7900ZR2G

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
NTLTD7900ZR2G P1
NTLTD7900ZR2G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NTLTD7900ZR2G

Artikelnummer
NTLTD7900ZR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NTLTD7900ZR2G PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer NTLTD7900ZR2G
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 16V
Leistung max 1.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket Micro8™

Verwandte Produkte

Alle Produkte