NSVMUN5336DW1T1G

COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
NSVMUN5336DW1T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSVMUN5336DW1T1G

Artikelnummer
NSVMUN5336DW1T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NSVMUN5336DW1T1G PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer NSVMUN5336DW1T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 187mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363

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