NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
NDT01N60T1G P1
NDT01N60T1G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NDT01N60T1G

Artikelnummer
NDT01N60T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NDT01N60T1G PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer NDT01N60T1G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 400mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223 (TO-261)
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA

Verwandte Produkte

Alle Produkte