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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MUN5216DW1T1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 250mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MUN5211DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | 0 | Einzelheiten | |
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MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | - | 27000 | Einzelheiten |
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MUN5211T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3 | - | 6000 | Einzelheiten |
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MUN5212DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | 0 | Einzelheiten | |
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MUN5212DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | - | 3000 | Einzelheiten |
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MUN5212T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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MUN5213DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | - | 12000 | Einzelheiten |
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MUN5213DW1T3G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | - | 0 | Einzelheiten |
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MUN5213T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | - | 18643 | Einzelheiten |
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MUN5214DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | - | 18000 | Einzelheiten |
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MUN5214T1 | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | 0 | Einzelheiten | |
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MUN5214T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | - | 30000 | Einzelheiten |