MSD601-RT1G

TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
MSD601-RT1G P1
MSD601-RT1G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ MSD601-RT1G

Artikelnummer
MSD601-RT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer MSD601-RT1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SC-59

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