MMDF2C03HDR2G

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
MMDF2C03HDR2G P1
MMDF2C03HDR2G P1
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ON Semiconductor ~ MMDF2C03HDR2G

Artikelnummer
MMDF2C03HDR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer MMDF2C03HDR2G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.1A, 3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 24V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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