MJD5731T4G

TRANS PNP 350V 1A DPAK
MJD5731T4G P1
MJD5731T4G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ MJD5731T4G

Artikelnummer
MJD5731T4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 350V 1A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer MJD5731T4G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
Leistung max 1.56W
Frequenz - Übergang 10MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK-3

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