FDD24AN06LA0_SB82179

INTEGRATED CIRCUIT
FDD24AN06LA0_SB82179 P1
FDD24AN06LA0_SB82179 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ FDD24AN06LA0_SB82179

Artikelnummer
FDD24AN06LA0_SB82179
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- FDD24AN06LA0_SB82179 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer FDD24AN06LA0_SB82179
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.1A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Verwandte Produkte

Alle Produkte