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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FCPF11N60_G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 36W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FCPF067N65S3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 44A TO220F | - | 1146 | Einzelheiten |
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FCPF11N60F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F | - | 1007 | Einzelheiten |
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