Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FCD5N60TM-WS |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 54W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCD5N60-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | - | 74827 | Einzelheiten |
 |
FCD5N60TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
FCD5N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | - | 2500 | Einzelheiten |
 |
FCD5N60TM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | - | 105623 | Einzelheiten |
 |
FCD5N60TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | - | 7500 | Einzelheiten |
 |
FCD5N60_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |