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ON Semiconductor ~ BSS138LT7G

Artikelnummer	BSS138LT7G
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.75V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	225mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	Einzelheiten
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	Einzelheiten
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23		3000	Einzelheiten
BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	Einzelheiten
BSS123	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	-	534000	Einzelheiten
BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten