BD159G

TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
BD159G P1
BD159G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ BD159G

Artikelnummer
BD159G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer BD159G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Leistung max 20W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3
Lieferantengerätepaket TO-225AA

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