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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Stromabfluss (Id) - Max | 10mA |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 200 Ohm |
| Leistung max | 200mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | 3-CP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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2SK3662(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS | 0 | Einzelheiten | |
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2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | JFET NCH 30V 200MW 3CP | - | 3000 | Einzelheiten |
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2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP | - | 12000 | Einzelheiten |
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2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 0.2W CP | 0 | Einzelheiten | |
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2SK3670(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Einzelheiten | |
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2SK3670(T6CANO,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Einzelheiten | |
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2SK3670(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Einzelheiten | |
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2SK3670,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Einzelheiten | |
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2SK3670,F(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | Einzelheiten |