A3T19H455W23SR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A3T19H455W23SR6 P1
A3T19H455W23SR6 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A3T19H455W23SR6

Artikelnummer
A3T19H455W23SR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A3T19H455W23SR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS (Dual)
Frequenz 1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinnen 16.4dB
Spannung - Test 30V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 540mA
Leistung 81W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall ACP-1230S-4L2S
Lieferantengerätepaket ACP-1230S-4L2S

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