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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PSMN7R6-100BSEJ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7110pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 296W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN7R0-100ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V I2PAK | 920 | Einzelheiten | |
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PSMN7R0-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | 2209 | Einzelheiten | |
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PSMN7R0-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 55A TO220F | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN7R0-30MLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33 | 1500 | Einzelheiten | |
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PSMN7R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK | 13500 | Einzelheiten | |
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PSMN7R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK | 6000 | Einzelheiten | |
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PSMN7R0-40LS,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V QFN3333 | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN7R0-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK | 114000 | Einzelheiten | |
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PSMN7R5-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN7R5-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33 | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN7R5-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK | 6000 | Einzelheiten |