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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PSMN4R0-30YLDX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1272pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 64W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PSMN4R0-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN4R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 1500 | Einzelheiten | |
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PSMN4R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK | 15000 | Einzelheiten | |
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PSMN4R0-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | 10500 | Einzelheiten | |
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PSMN4R0-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN4R1-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN4R1-60YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | - | 114140 | Einzelheiten |
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PSMN4R2-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN4R2-60PLQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 | 367 | Einzelheiten | |
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PSMN4R3-100ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | 298 | Einzelheiten | |
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PSMN4R3-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 5736 | Einzelheiten | |
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PSMN4R3-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 4800 | Einzelheiten |