Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PSMN018-80YS,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN010-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
PSMN010-55D,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
PSMN010-80YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK56 | 0 | Einzelheiten | |
 |
PSMN011-30YL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
PSMN011-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK | 1500 | Einzelheiten | |
 |
PSMN011-60MLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 | 4500 | Einzelheiten | |
 |
PSMN011-60MSX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 | 3000 | Einzelheiten | |
 |
PSMN011-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
PSMN012-100YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 | - | 128758 | Einzelheiten |
 |
PSMN012-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK | 12000 | Einzelheiten | |
 |
PSMN012-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
PSMN012-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK | 12000 | Einzelheiten |