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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMZ1200UPEYL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 410mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 43.2pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DFN1006-3 |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PMZ1000UN,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH SOT883 | 0 | Einzelheiten | |
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PMZ1200UPEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SOT883 | 10000 | Einzelheiten | |
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PMZ130UNEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT883 | 40000 | Einzelheiten |