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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMV32UP/MIR |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 510mW (Ta), 4.15W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT23 | 81000 | Einzelheiten | |
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PMV30UN2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB | - | 699746 | Einzelheiten |
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PMV30XN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V TO-236AB | 0 | Einzelheiten | |
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PMV31XN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMV32UP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
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PMV32UP/MIR | Nexperia USA Inc. | SMALL SIGNAL MOSFET | - | 6333 | Einzelheiten |
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PMV33UPE,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB | 9000 | Einzelheiten | |
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PMV35EPER | Nexperia USA Inc. | PMV35EPE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T | 0 | Einzelheiten | |
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PMV37EN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMV37EN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | 15000 | Einzelheiten |