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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMGD175XNEX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 870mA (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 252 mOhm @ 900mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.65nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 81pF @ 15V |
| Leistung max | 260mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PMGD130UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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PMGD175XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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PMGD175XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SOT363 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMGD175XNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V 6-TSSOP | 0 | Einzelheiten | |
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PMGD280UN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP | 69000 | Einzelheiten | |
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PMGD290UCEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP | 3000 | Einzelheiten | |
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PMGD290XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP | 27000 | Einzelheiten | |
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PMGD370XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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PMGD400UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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PMGD780SN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP | 3000 | Einzelheiten | |
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PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |