PDTD113ZTVL

PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB
PDTD113ZTVL P1
PDTD113ZTVL P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Nexperia USA Inc. ~ PDTD113ZTVL

Artikelnummer
PDTD113ZTVL
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer PDTD113ZTVL
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket TO-236AB

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