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Nexperia USA Inc. ~ PDTC114YTVL

Artikelnummer	PDTC114YTVL
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	-
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	1µA
Frequenz - Übergang	230MHz
Leistung max	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	TO-236AB

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
PDTC114EE,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75		0	Einzelheiten
PDTC114EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3		0	Einzelheiten
PDTC114EK,135	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3		0	Einzelheiten
PDTC114EM,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883		0	Einzelheiten
PDTC114EMB,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN		0	Einzelheiten
PDTC114EQAZ	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 3DFN		0	Einzelheiten
PDTC114ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3		0	Einzelheiten
PDTC114ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB		51000	Einzelheiten
PDTC114ET,235	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB		10000	Einzelheiten
PDTC114ET/DG/B2,21	Nexperia USA Inc.	TRANS RET TO-236AB	-	26333	Einzelheiten
PDTC114EU,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323		27000	Einzelheiten
PDTC114EU,135	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323		0	Einzelheiten