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Stückliste

PDTA123ETVL

PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › PDTA123ETVL
PDTA123ETVL P1
PDTA123ETVL P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Nexperia USA Inc. ~ PDTA123ETVL

Artikelnummer
PDTA123ETVL
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- PDTA123ETVL PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
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Produktparameter

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Artikelnummer PDTA123ETVL
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Frequenz - Übergang -
Leistung max -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket TO-236AB

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung PDF Auf Lager Aussicht
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