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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NX2301P,215 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 400mW (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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NX2301P,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB | 57000 | Einzelheiten | |
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NX2301PVL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CHANNEL 20V 2A TO236AB | - | 1042421 | Einzelheiten |
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NX2305CSTR | Microsemi Corporation | IC PWM CONTROLLER | - | 22547 | Einzelheiten |