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Nexperia USA Inc. ~ BSP122,115

Artikelnummer	BSP122,115
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 750mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-223
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BSP100,135	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223	-	0	Einzelheiten
BSP110,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223	-	0	Einzelheiten
BSP122,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223		1000	Einzelheiten
BSP123E6327T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223	-	0	Einzelheiten
BSP123L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223	-	0	Einzelheiten
BSP125 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223	-	0	Einzelheiten
BSP125 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223	-	0	Einzelheiten
BSP125H6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223		1000	Einzelheiten
BSP125H6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223		0	Einzelheiten
BSP125L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223	-	0	Einzelheiten
BSP125L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223	-	0	Einzelheiten
BSP126,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223		5000	Einzelheiten