MSMBJ30A

TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
MSMBJ30A P1
MSMBJ30A P2
MSMBJ30A P1
MSMBJ30A P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ MSMBJ30A

Artikelnummer
MSMBJ30A
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
TVS - Dioden
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Produktparameter

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Artikelnummer MSMBJ30A
Teilstatus Active
Art Zener
Unidirektionale Kanäle 1
Bidirektionale Kanäle -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) 30V
Spannung - Ausfall (Min.) 33.3V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp 48.4V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) 12.4A
Leistung - Spitzenpuls 600W
Stromleitungsschutz No
Anwendungen General Purpose
Kapazität @ Frequenz -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-214AA, SMB
Lieferantengerätepaket SMBJ (DO-214AA)

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