MRF555G

RF NPN TRANSISTOR
MRF555G P1
MRF555G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ MRF555G

Artikelnummer
MRF555G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RF NPN TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer MRF555G
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 16V
Frequenz - Übergang 470MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen 12.5dB
Leistung max 3W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Betriebstemperatur -
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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