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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | APTSM120AM09CD3AG |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 337A (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |