APTCV50H60T3G

IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
APTCV50H60T3G P1
APTCV50H60T3G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTCV50H60T3G

Artikelnummer
APTCV50H60T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTCV50H60T3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Leistung max 176W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3

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