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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT50GT120B2RDQ2G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 94A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 150A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Leistung max | 625W |
| Energie wechseln | 2330µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 340nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 24ns/230ns |
| Testbedingung | 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT50GF120B2RG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 135A 781W TMAX | - | 7 | Einzelheiten |
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APT50GF60JU3 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 75A 277W SOT227 | 0 | Einzelheiten | |
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APT50GLQ65JU2 | Microsemi Corporation | POWER MODULE - IGBT | - | 153 | Einzelheiten |
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APT50GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 134A 543W TO-247 | - | 19 | Einzelheiten |
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APT50GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 134A 543W TO264 | - | 71 | Einzelheiten |
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APT50GN60BDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 107A 366W TO247 | - | 114 | Einzelheiten |
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APT50GN60BG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 107A 366W TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT50GP60B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 150A 625W TMAX | - | 10 | Einzelheiten |