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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT35GN120BG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 94A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 105A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Leistung max | 379W |
| Energie wechseln | 2.315mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 220nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 24ns/300ns |
| Testbedingung | 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | - | 31 | Einzelheiten |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | - | 564 | Einzelheiten |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | - | 17 | Einzelheiten |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | - | 2903 | Einzelheiten |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 125 | Einzelheiten |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | - | 77 | Einzelheiten |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | - | 3 | Einzelheiten |
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APT30D30BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247 | - | 111 | Einzelheiten |
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APT30D40BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247 | - | 4 | Einzelheiten |