2N3636L

TRANS PNP 175V 1A
2N3636L P1
2N3636L P1
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Microsemi Corporation ~ 2N3636L

Artikelnummer
2N3636L
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS PNP 175V 1A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- 2N3636L PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2N3636L
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 175V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-5

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