MT49H16M18CTR-25:B

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ
MT49H16M18CTR-25:B P1
MT49H16M18CTR-25:B P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Micron Technology Inc. ~ MT49H16M18CTR-25:B

Artikelnummer
MT49H16M18CTR-25:B
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer MT49H16M18CTR-25:B
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie DRAM
Speichergröße 288Mb (16M x 18)
Taktfrequenz 400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 20ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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