MT40A512M16LY-062E:E TR

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
MT40A512M16LY-062E:E TR P1
MT40A512M16LY-062E:E TR P1
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Micron Technology Inc. ~ MT40A512M16LY-062E:E TR

Artikelnummer
MT40A512M16LY-062E:E TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer MT40A512M16LY-062E:E TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR4
Speichergröße 8Gb (512M x 16)
Taktfrequenz 1.6GHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14V ~ 1.26V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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