IXDN602PI

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
IXDN602PI P1
IXDN602PI P1
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IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDN602PI

Artikelnummer
IXDN602PI
Hersteller
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
PMIC - Gate-Treiber
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Produktparameter

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Artikelnummer IXDN602PI
Teilstatus Active
Angetriebene Konfiguration Low-Side
Kanaltyp Independent
Anzahl der Treiber 2
Tortyp IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 35 V
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A
Eingabetyp Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) -
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket 8-DIP

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