IXTH64N65X

MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
IXTH64N65X P1
IXTH64N65X P2
IXTH64N65X P1
IXTH64N65X P2
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IXYS ~ IXTH64N65X

Artikelnummer
IXTH64N65X
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTH64N65X.pdf IXTH64N65X PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXTH64N65X
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 890W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 32A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Fall TO-247-3

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