IXFT52N50P2

MOSFET N-CH 500V 52A TO268
IXFT52N50P2 P1
IXFT52N50P2 P2
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IXFT52N50P2 P2
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IXYS ~ IXFT52N50P2

Artikelnummer
IXFT52N50P2
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFT52N50P2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 52A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 960W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 26A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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