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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | HFA3102BZ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 6 NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Gewinnen | 12.4dB ~ 17.5dB |
| Leistung max | 250mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 3V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 14-SOIC |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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HFA-1K0967 | Eaton - Electronics Division | FUSE HOLDER 20A 250V 1/4 QUICK | - | 1411 | Einzelheiten |
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HFA-HH-R | Eaton | FUSE HLDR CART 250V 20A IN LINE | 0 | Einzelheiten | |
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HFA-R | Eaton | FUSE HLDR CART 250V 20A IN LINE | 0 | Einzelheiten | |
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HFA04SD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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HFA04SD60STRL | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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HFA04SD60STRR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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HFA04TB60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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HFA04TB60STRL | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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HFA04TB60STRR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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HFA06PB120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC | 0 | Einzelheiten | |
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HFA06TB120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC | 0 | Einzelheiten | |
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HFA06TB120S | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK | 0 | Einzelheiten |