IRG8B08N120KDPBF

DIODE 1200V 8A TO-220
IRG8B08N120KDPBF P1
IRG8B08N120KDPBF P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IRG8B08N120KDPBF

Artikelnummer
IRG8B08N120KDPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE 1200V 8A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRG8B08N120KDPBF.pdf IRG8B08N120KDPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IRG8B08N120KDPBF
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 15A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 15A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Leistung max 89W
Energie wechseln 300µJ (on), 300µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 45nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/160ns
Testbedingung 600V, 5A, 47 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 50ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB

Verwandte Produkte

Alle Produkte