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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRFS4010TRRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9575pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 375W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 106A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRFS4010-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFS4010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 800 | Einzelheiten | |
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IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | 7200 | Einzelheiten | |
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IRFS4010TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRFS4020PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRFS4020TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRFS4115-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFS4115PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK | 816 | Einzelheiten | |
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IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK | 2400 | Einzelheiten | |
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IRFS4127PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 72A D2-PAK | 1237 | Einzelheiten |