IRFHS9301TR2PBF

MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
IRFHS9301TR2PBF P1
IRFHS9301TR2PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFHS9301TR2PBF

Artikelnummer
IRFHS9301TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFHS9301TR2PBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-PQFN (2x2)
Paket / Fall 6-PowerVDFN

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