IRFH7185TRPBF

MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
IRFH7185TRPBF P1
IRFH7185TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH7185TRPBF

Artikelnummer
IRFH7185TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFH7185TRPBF.pdf IRFH7185TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFH7185TRPBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 19A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2320pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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